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IXTP3N60P

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IXTP3N60P参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
包装数量:50
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):411pF @ 25V
功率 - 最大值:70W
安装类型:通孔

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