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IXTP3N60P |
TO-220-3 | IXYS | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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IXTP3N60P参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 包装数量:50 包装形式:管件 PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):600V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 50µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):411pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 安装类型:通孔 |
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热门型号: PMIC - 监控ADM706PAR 通用嵌入式开发板和AVR-H128-C 同轴COA1955 矩形C3CCG-3436G-ND D-SubM7SSK-3706J 配件 - 帽盖AT3073JC 布线管,配线管道F2X2WH6 配件G3CF064M Card EdgeESC10DREF-S734 铝电容器ECE-A1AN101U |